|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Технологія GaN: Використання нітриду галію дозволило створити неймовірно потужний зарядний пристрій у значно меншому та легшому корпусі порівняно з традиційними кремнієвими аналогами. Це означає менше місця в сумці та легше носіння.
